Pemancar AM 75 meter 200 Watt Carrier

Rancangan:

• Daya output : 200 watt carrier calss C
• Impedansi out: 50 ohm
• Modulasi:  AM-Trafo Modulasi
• Band: mono band  frekuensi 4 Mc
• Frekuensi generator : Clapp VFO dan DDS eksternal
• Tegangan final = 65 V un-reg
• Tema: tetap klasik

Final Amplifier

Dengan daya 200 watt carrier maka impedansi di drain final; Vkuadrat/P =  65kudrat/200= 21 ohm sehingga menarik arus 65/21= 3 amper, jika dimodulasi arus meningkat menjadi 3x1,5= 4,5 amper. Dengan arus 4,5 A maka final dipilih 5 buah mosfet  SSH6N80 jadi masing masing mosfet dipekerjakan sekitar 1 A, tidak melebihi ambang batas kurva arus drain kontinyu. Kebetulan mosfet yang tersedia SSH6N80, sebenarnya saya lebih suka K2611. Mosfet tersebut memiliki kapasitan gate-source lumayan rendah sehingga ketika diparalel 5 buah tidak terlalu rendah banget. Kapasitan gate source yang terlalu rendah akibat diparalel akan menyulitkan untuk men-drivenya. 

Sesuai dengan tema klasik, saya masih mengunakan  penyesuai impedansi final dengan coxsial 50 ohm tipe L menggunakan varco besi 800 PF yang di paralel dengan kapasitor keramik tegang tinggi, sehingga kapasitas total sekitar 1500 PF, untuk L 5 lilit diameter 1 " renggang dengan panjang kira kira   1"  konstruksi L yang demikian panjang dan diameter hampir sama akan meningkatkan faktor kualitas (Q).

Masih dengan tema klasik. pemodulasian mengunakan trafo modulasi  dengan perbandingan 8 ohm: 24 ohm.  Pada drain final terdapat lilitan (RL) menggunakan inti toroid karena lebih mudah mendesainya menggunakan software online. Untuk menghitung induktansi RL menggunnakan pendekatan L=RL/(4xf). Induktor tersebut sering diabaikan nilainya tetapi dapat mengakibatkan audio cacat bahkan tidak duduk di center frekuensi, waktu switch on dan off mosfet tidak tepat terhadap induktor melepaskan energinya. Pada desain ini saya menggunakan toroid  T106-2  8 lilit kawat emaail 1 mm. 

Jalur pertemuan antara trafo modulasi dan induktor RL terdapat dioda proteksi 1.5KE130A untuk membatasi over modulasi yang akan mengakibatkan final jebol serta kapasitor 15 nF tegangan tinggi sebagai by pass frekuensi tinggi dijalur tersebut. Pada jalur drain Capasitor shunt (CS), berfungsi untuk meredam tegangan kejut di Drain yang akan membahayakan mosfet. jika tidak menggunakan CS terlihat RF yang besar tetapi arusnya kecil. Nilai CF yang digunakan menurut WA1QIX untuk 80/75 meter 250 pF per mosfet, yang saya gunakan 2 buah 2n2 400 volt diseri adanya itu he hehe.

Input didesain matching dengan coaxial 50 ohm dari rangkaian driver, disini saya menngunakan penyesuai impedansi dua buah ferrite beat ukuran  panjang 1,5 cm dengan 8 lilitan  kemudian dipilin (50 ohm) untuk ke driver dan 1 lilit untuk gate-ground menggunakan kawat besar. Rangkaian driver harus mampu men drive final, sehingga pada gate-ground menghasilkan tegangan sekitar 12 volt puncak (Vp) seperti pada gambar.

Sinyal input di gate-groud 12 Vp